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RFイオンプレーティング（Radio Frequency Ion Plating）とは

真空蒸着法を基本とした蒸着で蒸気化した物質を電離し、電場により加速して数eVから数10eVの高エネルギー粒子として基板に成膜する方法です。

弊社では、RFイオンプレーティング方式を採用しています。

RFイオンプレーティング方式とは装置内部に酸素ガスを導入し、内部に設置された電極（ドーム）に直接高周波：RF（13.56MＨｚ）を印加する事によりチャンバー空間にプラズマが生成される。

このとき、電極はカソードとして、装置壁面がアノードとしてプラズマは形成られ、プラズマ中のイオンが基板にエネルギーを与えアモルファス状の充填密度の高い薄膜を得る事を可能とし、分光特性の経時変化の少ない薄膜形成を可能にしています。